itslabtime.com
首页 / 电学与电子学 / 二极管伏安特性

二极管伏安特性

将电压施加到二极管和串联电阻,并记录实际的器件电压和电流。比较正向偏置和反向偏置。

    E17 · 二极管伏安特性0.00 s · 准备

    电子学 · 半导体器件 / 原理与探索

    二极管伏安特性实验解说

    将电压施加到二极管和串联电阻,并记录实际的器件电压和电流。比较正向偏置和反向偏置。

    它是怎么工作的?

    电流正向增加,并受到串联电阻的限制。阈值电压取决于所选的参考电流。

    关键关系

    I = Is(exp(Vd/(nVT)) − 1) · Vin = IRs + Vd

    尝试这个实验

    1. 逐步改变施加的电压,从负到正,观察设备电压和电流的符号。
    2. 运行并记录这三个基准设置。
    3. 在相同的电压下,仅改变器件或温度。

    解读您的结果

    当忽略击穿时,当硅型二极管施加 −5 V 的反向偏置时,其电流是多少?

    接近 0 的反向电流

    假设与限制

    该模型使用 Shockley 方程,以及一个 100 Ω 的串联电阻。 击穿、自热以及 LED 效率未包含在内。 温度仅影响 VT,因此实际温度依赖性与模型有所不同。 请使用该模拟,不要使用实际电源或电源插座进行复制。