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二極體伏安特性

將電壓施加到二極體和串聯電阻,並記錄實際的器件電壓和電流。比較正向偏置和反向偏置。

    E17 · 二極體伏安特性0.00 s · 準備

    電子學 · 半導體器件 / 原理與探索

    二極體伏安特性實驗解說

    將電壓施加到二極體和串聯電阻,並記錄實際的器件電壓和電流。比較正向偏置和反向偏置。

    它是怎麼工作的?

    電流正向增加,並受到串聯電阻的限制。臨界電壓取決於所選的參考電流。

    關鍵關係

    I = Is(exp(Vd/(nVT)) − 1) · Vin = IRs + Vd

    嘗試這個實驗

    1. 逐步改變施加的電壓,從負到正,觀察裝置電壓和電流的符號。
    2. 執行並記錄這三個基準設定。
    3. 在相同的電壓下,僅改變器件或溫度。

    解讀結果的依據

    當忽略擊穿時,當矽型二極體施加 −5 V 的反向偏置時,其電流是多少?

    接近 0 的反向電流

    模型的範圍與限制

    該模型使用 Shockley 方程,以及一個 100 Ω 的串聯電阻。 擊穿、自熱以及 LED 效率未包含在內。 溫度僅影響 VT,因此實際溫度依賴性與模型有所不同。 請使用該模擬,不要使用實際電源或電源插座進行復制。